Intel и Micron разработали более быструю Flash-память

Корпорация Intel и компания Micron представили высокоскоростную памяти типа NAND flash, которая серьезно увеличивает скорость передачи и время доступа для устройств, использующих ее в качестве носителя. Новая технология разработана в содружестве Intel и Micron, а произведена на заводах общего подразделения, носящего имя IM Flash Technologies (IMFT). Новая память в 5 раз более быстрая, чем существующие аналоги и может достигать скорости до 200 мегабайт в секунду для передачи и до 100 Мб/c для записи.

Это стало возможно благодаря использованию новых спецификаций ONFi 2.0 и 4-слойного дизайна.


Источник: NGOHQ